MJD42CQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD42CQ-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MJD42CQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTMJD Automotive Medium Power TransistorsDiodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:120 V
collector-emitter saturation voltage:7 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:-6 A
dc collector/base gain hfe min:15
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-252-3
packaging:Reel, Cut Tape
партномер8019807665
pd - power dissipation:2.7 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q100
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:06:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль