IRFBF20PBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.7 А, 8 Ом, TO-220AB, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFBF20PBF
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Основные
вес, г2
pin count3
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Основные
вес, г2
pin count3
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)150
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220AB
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)54000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN
tabTab
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)1.7
maximum drain source resistance (mohm)8000 10V
maximum drain source voltage (v)900
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)32
typical gate charge @ 10v (nc)38(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)38(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf)490 25V
typical rise time (ns)21
typical turn-off delay time (ns)56
typical turn-on delay time (ns)8
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль