HN1B04FE-Y,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Вес и габариты
base product numberTC74VHCT540 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
74
+
Бонус: 1.48 !
Бонусная программа
Итого: 74
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Вес и габариты
base product numberTC74VHCT540 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 2mA, 6V
eccnEAR99
frequency - transition80MHz
htsus8541.21.0095
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-563, SOT-666
power - max100mW
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageES6
transistor typeNPN, PNP
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль