CSD85301Q2T

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Основные
вес, г0.0097
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Основные
вес, г0.0097
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки250
тип продуктаMOSFET
торговая маркаTexas Instruments
упаковка / блокWSON-FET-6
серияCSD85301Q2
длина2 mm
время нарастания26 ns
время спада15 ns
коммерческое обозначениеNexFET
pd - рассеивание мощности2.3 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки5 A
qg - заряд затвора5.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток27 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения14 ns
типичное время задержки при включении6 ns
Высота 0.75 мм
Ширина2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль