SI7112DN-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
Основные
вес, г0.4885
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
580
+
Бонус: 11.6 !
Бонусная программа
Итого: 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
Основные
вес, г0.4885
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSI7
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3.8 W
другие названия товара №SI7112DN-T1
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки17.8 A
qg - заряд затвора27 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль