Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V P-channel NexFET Pwr МОП-транзистор

Подробное описание

Основные
вес, г	0.002
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

200 ₽

– +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.002
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Texas Instruments
упаковка / блок	DSBGA-9
серия	CSD25202W15
длина	1.5 mm
время нарастания	12 ns
время спада	28 ns
коммерческое обозначение	NexFET
pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	4 A
qg - заряд затвора	7.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	52 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.05 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	16 S
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	64 ns
типичное время задержки при включении	15 ns
Высота	0.62 мм
Ширина	1.5 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки