BCP68-25

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BCP68-25
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г3
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:170MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:160hFE; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Av Current Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:500µA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:170MHz; Hfe Min:160; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:1.37W; Voltage Vcbo:32V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г3
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
base product numberBCP68 ->
частота перехода ft170МГц
collector- base voltage vcbo32 V
collector emitter voltage max20В
collector- emitter voltage vceo max20 V
configurationSingle
continuous collector current
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc collector/base gain hfe min160 at 500 mA at 1 V
dc current gain hfe max160 at 500 mA at 1 V
dc current gain hfe min160hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce160 @ 500mA, 1V
dc усиление тока hfe160hFE
длина6.7 mm
другие названия товара №BCP68-25 T/R
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity1000
frequency - transition170MHz
gain bandwidth product ft170 MHz
height1.7 mm
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.160 at 500 mA at 1 V
количество выводов4вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160 at 500 mA at 1 V
конфигурацияSingle
length6.7 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerNexperia
maximum dc collector current2 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-223-4
packagingReel
партномер8002981062
part # aliasesBCP68-25 T/R
pd - power dissipation1400 mW
pd - рассеивание мощности1400 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation625мВт
power - max650mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)170 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier device packageSOT-223
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.003951 oz
упаковка / блокSOT-223-4
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 200mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки1:25:29
Ширина3.7 мм
width3.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль