Name: NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт,
SKU: NXH80B120H2Q0SG

NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт,

Подробное описание

Основные
вес, г	0.1
вид монтажа	Press Fit
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 125 C

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

Основные
вес, г	0.1
вид монтажа	Press Fit
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 125 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки	24
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка	Tray
упаковка / блок	Q0BOOST
pd - рассеивание мощности	103 W
Вес и габариты
технология	SiC
конфигурация	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	40 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Отзывов нет

Кнопки