Транзистор BCP56.115
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP56.115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)Биполярные транзисторы - BJT NPN MED 1A 80V
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.85 |
| Высота | 1.7 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| base product number | BCP56 -> |
| collector-emitter breakdown voltage | 80V |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 1A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 63 @ 150mA, 2V |
| длина | 6.7 mm |
| другие названия товара № | BCP56 T/R |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 180MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 63 at 5 mA at 2 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| maximum collector base voltage | 100 V |
| maximum collector emitter voltage | 80 V |
| maximum dc collector current | 1.2A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 180 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 960 mW |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 63 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| package type | SOT-223(SC-73) |
| партномер | 8004285132 |
| pd - power dissipation | 1W |
| pd - рассеивание мощности | 960 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 960mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 180 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| supplier device package | SOT-223 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
| Время загрузки | 1:23:19 |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
