Name: BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор N-MOSFET 100В 8.8A/42A [PG-TDSON-8-1]
Brand: Infineon
SKU: BSC160N10NS3GATMA1

BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор N-MOSFET 100В 8.8A/42A [PG-TDSON-8-1]

Подробное описание

460 ₽

– +

Бонус: 9.2 !

Бонусная программа

Итого: 460 ₽

Купить

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Вес и габариты
вес, г	1
Высота	1.1 мм
Информация о производителе
Производитель	Infineon
Основные
число контактов	8
длина	5.35мм
категория	Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+150 °C
максимальное напряжение сток-исток	100 В
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	60 Вт
максимальное сопротивление сток-исток	33 mΩ
максимальный непрерывный ток стока	42 А
материал транзистора	Кремний
maximum gate threshold voltage	3.5V
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum gate threshold voltage	2V
номер канала	Поднятие
размеры	5.35 x 6.35 x 1.1мм
серия	OptiMOS 3
типичная входная емкость при vds	1300 пФ при 50 В
типичное время задержки включения	13 ns
типичное время задержки выключения	22 ns
типичный заряд затвора при vgs	19 nC @ 10 V
тип канала	N
тип корпуса	TDSON
тип монтажа	Поверхностный монтаж
transistor configuration	Одинарный
Ширина	6.35 мм

Отзывов нет

Кнопки