- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V
Отзывов нет






![MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252] MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]](/wa-data/public/shop/products/69/86/288669/images/330449/330449.300x0.jpg)






