FQL40N50
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 500V N-Channel QFET
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| длина | 20.2 mm |
| другие названия товара № | FQL40N50_NL |
| factory pack quantity | 375 |
| fall time | 250 ns |
| forward transconductance - min | 29 S |
| Высота | 26.4 мм |
| id - continuous drain current | 40 A |
| id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | QFET |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 29 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | Through Hole |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | TO-264-3 |
| packaging | Tube |
| part # aliases | FQL40N50_NL |
| pd - power dissipation | 460 W |
| pd - рассеивание мощности | 460 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| размер фабричной упаковки | 375 |
| rds on - drain-source resistance | 110 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| rise time | 440 ns |
| series | FQL40N50 |
| серия | FQL40N50 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 140 ns |
| типичное время задержки выключения | 350 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| tradename | QFET |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| Тип | MOSFET |
| type | MOSFET |
| typical turn-off delay time | 350 ns |
| typical turn-on delay time | 140 ns |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-264-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 500 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| vgs - gate-source voltage | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 440 ns |
| время спада | 250 ns |
| Ширина | 5.2 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26