FP10R12W1T7B3BOMA1
В избранноеВ сравнение

- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Отзывов нет

![IRFB3006PBF, Транзистор, N-канал 60В 270А, [TO-220AB] IRFB3006PBF, Транзистор, N-канал 60В 270А, [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/57/31/193157/images/228028/228028.300x0.jpg)

![SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3] SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/16/30/203016/images/236332/236332.300x0.jpg)









