FF150R12KE3G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF150R12KE3G
Вес и габариты
вес, г340
Высота 30.5 мм
Основные
длина106.4 mm
9 030
+
Бонус: 180.6 !
Бонусная программа
Итого: 9 030
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
Вес и габариты
вес, г340
Высота 30.5 мм
Основные
длина106.4 mm
другие названия товара №FF150R12KE3GHOSA1 SP000100740
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
минимальная рабочая температура40 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c225 A
pd - рассеивание мощности780 W
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
rohsN
тип продуктаIGBT Modules
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок62 mm
вид монтажаChassis Mount
Ширина61.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль