Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
Вес и габариты
вес, г
340
Высота
30.5 мм
Основные
длина
106.4 mm
другие названия товара №
FF150R12KE3GHOSA1 SP000100740
категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
конфигурация
Dual
максимальная рабочая температура
+ 125 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
минимальная рабочая температура
40 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c
225 A
pd - рассеивание мощности
780 W
подкатегория
IGBTs
продукт
IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки
10
rohs
N
тип продукта
IGBT Modules
ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка
Tray
упаковка / блок
62 mm
вид монтажа
Chassis Mount
Ширина
61.4 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26