IXTQ26P20P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Вес и габариты
длина15.8 mm
id - непрерывный ток утечки26 A
канальный режимEnhancement
1 930
+
Бонус: 38.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 930
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Вес и габариты
длина15.8 mm
id - непрерывный ток утечки26 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности300 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора56 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
серияIXTQ26P20
технологияSi
типичное время задержки при включении18 ns
типичное время задержки выключения46 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
вес, г5.5
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания33 ns
время спада21 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль