FD200R12PT4_B6
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
Отзывов нет
![SI2312A, Транзистор N-MOSFET 20В 3.77А [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/25/07/200725/images/234392/234392.300x0.jpg "SI2312A, Транзистор N-MOSFET 20В 3.77А [SOT-23-3]")
![IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А, [Micro3 / SOT-23]](/wa-data/public/shop/products/62/34/193462/images/228444/228444.300x0.jpg "IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А, [Micro3 / SOT-23]")
