DSS5540X-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS5540X-13
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:165 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:-4 A
dc collector/base gain hfe min:250 at-500 mA, -2 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:60 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:4 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8006679834
pd - power dissipation:900 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DSS55
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:28:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль