IXTP1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 400нм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTP1R6N50D2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
Основные
вес, г2.8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
560
+
Бонус: 11.2 !
Бонусная программа
Итого: 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
Основные
вес, г2.8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
продуктMOSFET
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияIXTP1R6N50
время нарастания70 ns
время спада41 ns
pd - рассеивание мощности100 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки1.6 A
qg - заряд затвора23.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток2.3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимDepletion
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.75 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения35 ns
типичное время задержки при включении25 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль