APT65GP60B2G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT65GP60B2G
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
4 830
+
Бонус: 96.6 !
Бонусная программа
Итого: 4 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3 Variant
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
seriesPOWER MOS 7В® ->
base product numberAPT65GP60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
current - collector (ic) (max)100A
current - collector pulsed (icm)250A
gate charge210nC
igbt typePT
power - max833W
switching energy605ВµJ (on), 896ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c30ns/91ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.7V @ 15V, 65A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 65A, 5Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль