Name: NJVMJD350T4G, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NJVMJD350T4G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD350T4G, Bipolar Transistors - BJT BIP ...

Подробное описание

200 ₽

– +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.26
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:	300 V
collector-emitter saturation voltage:	1 V
collector- emitter voltage vceo max:	300 V
configuration:	Single
continuous collector current:	500 mA
dc collector/base gain hfe min:	30
dc current gain hfe max:	240
emitter- base voltage vebo:	3 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
gain bandwidth product ft:	10 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	500 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-65 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	DPAK-3
партномер	8004739104
pd - power dissipation:	15 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
series:	MJD350
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	0:47:59

Отзывов нет

Кнопки

Теги: