2N6388G, Bipolar Transistors - BJT 10A 80V Bipolar Power NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6388G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N6388G, Bipolar Transistors - BJT 10A 80V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Транзисторы ДарлингтонаТранзисторы Дарлингтона 10A 80V Bipolar Power NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector emitter voltage max80В
configurationSingle
continuous collector current10А
dc current gain hfe min100hFE
dc усиление тока hfe100hFE
длина10.53 mm
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.20000
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)1000
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора10 A
максимальный ток отсечки коллектора1000 uA
maximum base current (a)0.25
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector cut-off current1mA
maximum collector emitter saturation voltage3 V
maximum collector-emitter saturation voltage (v)2@0.01A@5A|3@0.1A@10A
maximum collector emitter voltage80 V
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum continuous collector current10 A
maximum continuous dc collector current (a)10
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation65 W
maximum power dissipation (mw)2000
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain2500
minimum dc current gain range<500|500 to 3600
minimum operating temperature-65 °C
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораThrough Hole
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
непрерывный коллекторный ток10 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package typeTO-220
packagingTube
партномер8005368267
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности65 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation65Вт
ppapNo
размер фабричной упаковки50
серия2N6388
standard package nameTO
стиль корпуса транзистораTO-220
supplier packageTO-220AB
tabTab
тип продуктаDarlington Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
typical current gain bandwidth (mhz)20(Min)
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:54:07
Ширина4.83 мм
width10.28mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль