APT50GR120B2

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

2 740 ₽

– +

Бонус: 54.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 740 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
pd - рассеивание мощности	694 W
Вес и габариты
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	117 A
ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки