ZXMP3A16DN8TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Dl 30V P-Chnl UMOS
Вес и габариты
длина5 mm
Высота 1.5 мм
id - непрерывный ток утечки5.5 A
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Dl 30V P-Chnl UMOS
Вес и габариты
длина5 mm
Высота 1.5 мм
id - непрерывный ток утечки5.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора29.6 nC
размер фабричной упаковки500
rds вкл - сопротивление сток-исток45 mOhms
серияZXMP3
технологияSi
типичное время задержки при включении3.8 ns
типичное время задержки выключения37.1 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
ТипMOSFET
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.074
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания6.5 ns
время спада21.4 ns
Ширина4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль