Name: QS6K1TR, Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
SKU: QS6K1TR

Массив Mosfet 2, N-канал (двойной), 30 В, 1 А, 1,25 Вт, поверхностный монтаж, TSMT6 (SC-95)

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	*K1 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1A
drain to source voltage (vdss)	30V

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Массив Mosfet 2, N-канал (двойной), 30 В, 1 А, 1,25 Вт, поверхностный монтаж, TSMT6 (SC-95)

Вес и габариты
base product number	*K1 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1A
drain to source voltage (vdss)	30V
eccn	EAR99
fet feature	Logic Level Gate
fet type	2 N-Channel (Dual)
gate charge (qg) (max) @ vgs	2.4nC @ 4.5V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	77pF @ 10V
количество выводов	6вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting type	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	30В
напряжение измерения rds(on)	4.5В
непрерывный ток стока	1А
operating temperature	150В°C (TJ)
other related documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1.5В
power - max	1.25W
рассеиваемая мощность	900мВт
rds on (max) @ id, vgs	238mOhm @ 1A, 4.5V
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
simulation models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.364Ом
стиль корпуса транзистора	TSMT
supplier device package	TSMT6 (SC-95)
vgs(th) (max) @ id	1.5V @ 1mA

Отзывов нет

Кнопки