MOSFET Module, Single - N-Channel, 1kV, 28A, 780W, SOT-227B

Подробное описание

Основные
вес, г	29
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

15 400 ₽

– +

Бонус: 308 !

Бонусная программа

Итого: 15 400 ₽

Купить

Diode ModulesMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A

Основные
вес, г	29
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227-4
серия	IXFN32N1003
время нарастания	300 ns
коммерческое обозначение	HyperFET
pd - рассеивание мощности	780 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	28 A
qg - заряд затвора	195 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel

Отзывов нет

Кнопки