IXBH10N170

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXBH10N170
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
3 040
+
Бонус: 60.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 040
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT 1700V 20A 140W Through Hole TO-247AD (IXBH)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXBH10N170
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247AD (IXBH)
длина16.26 mm
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеBIMOSFET
seriesBIMOSFETв„ў ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1700 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.3 V
непрерывный коллекторный ток16 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.20 A
current - collector (ic) (max)20A
current - collector pulsed (icm)40A
gate charge30nC
power - max140W
switching energy6mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c35ns/500ns
vce(on) (max) @ vge, ic3.8V @ 15V, 10A
voltage - collector emitter breakdown (max)1700V
test condition1360V, 10A, 56Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)360ns
Высота 21.46 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль