Name: FQPF33N10L, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 18 А, 0.039 Ом, TO-220F
SKU: FQPF33N10L

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыMarket demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.039Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Все характеристики

340 ₽

– +

Бонус: 6.8 !

Бонусная программа

Итого: 340 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.039Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	QFET
максимальная рабочая температура	175 C
напряжение истока-стока vds	100В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	18А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2В
power dissipation	41Вт
рассеиваемая мощность	41Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.039Ом
стиль корпуса транзистора	TO-220F
вес, г	2

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки