MR4A08BYS35

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 16 Мб (2M x 8) Параллельный 35 нс 44-TSOP2
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
10 690
+
Бонус: 213.8 !
Бонусная программа
Итого: 10 690
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 16 Мб (2M x 8) Параллельный 35 нс 44-TSOP2
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP2
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
memory size16Mb (2M x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatRAM
access time35ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page35ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль