BC857B-7-F, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC857B-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC857B-7-F, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberBC857 ->
current - collector cutoff (max)15nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce220 @ 2mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at -2 mA, - 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency200 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain220
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8003208156
pd - рассеивание мощности300 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max300mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBC857B
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки21:59:59
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль