MSCSM120AM042CT6LIAG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 2 канала N (фазовая ветвь) 1200 В (1,2 кВ) 495A (Tc) 2,031 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6C LI
Вес и габариты
base product numberMSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c495A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
162 300
+
Бонус: 3246 !
Бонусная программа
Итого: 162 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 2 канала N (фазовая ветвь) 1200 В (1,2 кВ) 495A (Tc) 2,031 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6C LI
Вес и габариты
base product numberMSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c495A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
eccnEAR99
fet featureSilicon Carbide (SiC)
fet type2 N Channel (Phase Leg)
gate charge (qg) (max) @ vgs1392nC @ 20V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки495 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds18100pF @ 1kV
категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseModule
pd - рассеивание мощности2.031 kW
подкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
полярность транзистораN-Channel
power - max2.031kW (Tc)
продуктPower MOSFET Modules
размер фабричной упаковки1
rds on (max) @ id, vgs5.2mOhm @ 240A, 20V
rds вкл - сопротивление сток-исток5.2 mOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSP6C LI
технологияSiC
типичное время задержки при включении56 ns
типичное время задержки выключения166 ns
тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
торговая маркаMicrochip / Microsemi
ТипPhase Leg SiC
упаковка / блокSP6
vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
vf - прямое напряжение1.5 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, 25 V
vgs(th) (max) @ id2.8V @ 6mA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания55 ns
время спада67 ns
vr - обратное напряжение1200 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль