Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 35 нс 44-TSOP2

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray

9 150 ₽

– +

Бонус: 183 !

Бонусная программа

Итого: 9 150 ₽

Купить

Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 35 нс 44-TSOP2

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	NVRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	135
тип продукта	NVRAM
торговая марка	Everspin Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-44
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0071
серия	MR2A08A
рабочий ток источника питания	50 mA
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	44-TSOP2
напряжение питания - макс.	3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	MRAM (Magnetoresistive RAM)
организация	512 k x 8
ширина шины данных	8 bit
размер памяти	4 Mbit
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Non-Volatile
memory format	RAM
время доступа	35 ns
access time	35ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	35ns

Отзывов нет

Кнопки