PBHV8560ZX, 600V 650mW 70@50mA,10V 500mA NPN SOT223 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBHV8560ZX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBHV8560ZX, 600V 650mW 70@50mA,10V 500mA NPN ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
99
+
Бонус: 1.98 !
Бонусная программа
Итого: 99
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 600V, .05A NPN High- Voltage Transistor
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBHV8560 ->
частота перехода ft-
collector- base voltage vcbo600 V
collector-emitter saturation voltage50 mV
collector emitter voltage max600В
collector- emitter voltage vceo max600 V
configurationSingle
continuous collector current500мА
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc collector/base gain hfe min70
dc current gain hfe min70hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 50mA, 10V
dc усиление тока hfe70hFE
другие названия товара №9,34069E+11
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity1000
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов4вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerNexperia
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)600 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер50 mV
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-223-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8003376509
pd - power dissipation650 mW
pd - рассеивание мощности650 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation650мВт
power - max650mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
стиль корпуса транзистораSOT-223
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
Время загрузки22:59:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль