ALD114913SAL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 12 мА, 3 мА, 500 мВт, поверхностный монтаж 8-SOIC
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c12mA, 3mA
drain to source voltage (vdss)10.6V
1 180
+
Бонус: 23.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 12 мА, 3 мА, 500 мВт, поверхностный монтаж 8-SOIC
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c12mA, 3mA
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
fet featureDepletion Mode
fet type2 N-Channel (Dual) Matched Pair
htsus8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2.5pF @ 5V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TJ)
packageTube
package / case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
power - max500mW
rds on (max) @ id, vgs500Ohm @ 2.7V
rohs statusROHS3 Compliant
seriesEPADВ® ->
supplier device package8-SOIC
vgs(th) (max) @ id1.26V @ 1ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль