IS61LV25616AL-10TLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 680
+
Бонус: 33.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+85 °C
минимальная рабочая температура-40 °C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS61LV25616AL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
число контактов44
размеры18.52 x 10.29 x 1.05мм
length18.52мм
package typeТонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
pin count44
напряжение питания - макс.15 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3.135 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusUnconfirmed
pcb changed44
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-II
voltage - supply3.135V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technologyCMOS
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания3,135 В
максимальное рабочее напряжение питания3,6 В
minimum operating supply voltage (v)3.135
typical operating supply voltage (v)3.3
диапазон данныхSDR
technologySRAM - Asynchronous
организация256К x 16 бит
number of ports1
количество портов1
размер памяти4 Mbit
memory size4Mb (256K x 16)
максимальная тактовая частота100 MHz
memory typeVolatile
объем памяти4Мбит
memory formatSRAM
время доступа10 ns
chip density (bit)4M
max. access time (ns)10
operating current (ma)110
number of bits/word (bit)16
number of words256K
timing typeАсинхронный
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
количество слов256K
number of bits per word16бит
data rate architectureSDR
maximum random access time10нс
address bus width18бит
низкая мощностьYes
Высота 1.05 мм
ТипAsynchronous
Ширина10.29 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль