STBV45-AP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics STBV45-AP
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 400V 750mA 950mW Through Hole TO-92AP
Дата загрузки18.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberSTBV45 ->
current - collector cutoff (max)250ВµA
current - collector (ic) (max)750mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce5 @ 400mA, 5V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageCut Tape (CT)Tape & Box (TB)
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
партномер8006601179
power - max950mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-92AP
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 135mA, 400mA
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки13:55:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль