NSS60600MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS60600MZ4T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS60600MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT LO ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.295
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.295
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle Dual Collector
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum base emitter saturation voltage (v)1 0.1A 1A
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current (a)6
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
minimum dc current gain150 500mA 2V|120 1A 2V|70 6A 2V|100 2A 2V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
packagingTape and Reel
партномер8006398619
part statusActive
pcb changed3
pin count4
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameSOT
supplier packageSOT-223
tabTab
typePNP
Время загрузки0:52:57
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль