S25FL512SAGBHIC10, Флеш память, MirrorBit Eclipse Architecture, Последовательная NOR, 512 Мбит, 64М

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: S25FL512SAGBHIC10
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Основные
вес, г2.68
максимальная рабочая температура85 C
минимальная рабочая температура-40 C
линейка продукции3V Serial NOR Flash Memories
2 130
+
Бонус: 42.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Основные
вес, г2.68
максимальная рабочая температура85 C
минимальная рабочая температура-40 C
линейка продукции3V Serial NOR Flash Memories
количество выводов24вывод(-ов)
максимальное напряжение питания3.6В
минимальное напряжение питания2.7В
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 3-168 часов
Вес и габариты
размер памяти512Мбит
тип интерфейса исSPI
тактовая частота133МГц
стиль корпуса микросхемы памятиBGA
конфигурация флэш-памяти64М x 8бит
тип flash памятиПоследовательная NOR
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль