Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.3
максимальная рабочая температура	175 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	3вывод(-ов)

630 ₽

– +

Бонус: 12.6 !

Бонусная программа

Итого: 630 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.3
максимальная рабочая температура	175 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
квалификация	AEC-Q101
рассеиваемая мощность	375Вт
power dissipation	375Вт
напряжение истока-стока vds	40В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-263(D2PAK)
непрерывный ток стока	120А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.00121Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.00121Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SQM40010EL_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 120 А, 0.00121 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface