IXFK200N10P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 830Вт, TO264
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFK200N10P
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
N-канал 100V 200A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)
| Основные | |
| вес, г | 10 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-264-3, TO-264AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-264AA (IXFK) |
| california prop 65 | Warning Information |
| series | HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў -> |
| Вес и габариты | |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 200A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 235nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 7600pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 830W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 7.5mOhm @ 100A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 8mA |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
