Name: IXFH96N20P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO247-3
Brand: IXYS
SKU: IXFH96N20P

IXFH96N20P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO247-3

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Подробное описание

Бренд: IXYS

Информация о производителе
Производитель	IXYS
Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор

Все характеристики

1 890 ₽

– +

Бонус: 37.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 890 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Информация о производителе
Производитель	IXYS
Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+175 °C
минимальная рабочая температура	-55 °C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	HiperFET, Polar
длина	16.26мм
время нарастания	30 ns
время спада	30 ns
коммерческое обозначение	HiPerFET
тип корпуса	TO-247
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	3
размеры	16.26 x 5.3 x 21.46мм
pd - рассеивание мощности	600 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
количество элементов на ис	1
максимальное рассеяние мощности	600 W
конфигурация	Single
тип канала	N
transistor configuration	Одинарный
id - непрерывный ток утечки	96 A
qg - заряд затвора	145 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	24 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	40 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	75 ns
типичное время задержки при включении	28 ns
максимальное сопротивление сток-исток	24 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage	5V
максимальное напряжение сток-исток	200 В
типичный заряд затвора при vgs	145 нКл при 10 В
номер канала	Поднятие
максимальный непрерывный ток стока	96 A
материал транзистора	SI
типичное время задержки включения	28 ns
категория	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	4800 пФ при 25 В
Высота	21.46 мм
Тип	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Ширина	5.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки