IXFT96N20P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 96 Amps 200V 0.024 Rds
Вес и габариты
длина16.05 mm
Высота 5.1 мм
id - непрерывный ток утечки96 A
2 600
+
Бонус: 52 !
Бонусная программа
Итого: 2 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 96 Amps 200V 0.024 Rds
Вес и габариты
длина16.05 mm
Высота 5.1 мм
id - непрерывный ток утечки96 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHiPerFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.40 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности600 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора145 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms
серияIXFT96N20
технологияSi
типичное время задержки при включении28 ns
типичное время задержки выключения75 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolarHT HiPerFET Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
вес, г4.5
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания30 ns
время спада30 ns
Ширина14 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль