Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Подробное описание

Основные
вес, г	6
тип корпуса	TO-247
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	3

Все характеристики

2 430 ₽

– +

Бонус: 48.6 !

Бонусная программа

Итого: 2 430 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	6
тип корпуса	TO-247
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	3
length	16.26мм
minimum operating temperature	-55 °C
maximum operating temperature	+150 °C
series	HiperFET, Polar
height	21.46мм
Вес и габариты
количество элементов на ис	1
тип канала	N
maximum drain source voltage	300 В
maximum gate source voltage	-20 В, +20 В
transistor material	Кремний
конфигурация транзистора	Одинарный
maximum gate threshold voltage	5V
maximum drain source resistance	49 мΩ
типичный заряд затвора при vgs	156 нКл при 10 В
channel mode	Поднятие
максимальный непрерывный ток стока	69 A
maximum power dissipation	500 Вт
Ширина	5.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки