SIHP6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-220AB, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHP6N80AE-GE3
N-канал 800V 5A (Tc) 62,5W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 800V 5A (Tc) 62,5W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220AB
seriesE ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs22.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds422pF @ 100V
power dissipation (max)62.5W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs950mOhm @ 2A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль