BSS670S2LH6327XTSA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,54А, 0,36Вт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS670S2LH6327XTSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
| Основные | |
| вес, г | 0.02 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | BSS670S2 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| длина | 2.9 mm |
| время нарастания | 25 ns |
| время спада | 24 ns |
| series | OptiMOSв„ў -> |
| pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| другие названия товара № | BSS670S2L BSS67S2LH6327XT H6327 SP000928950 |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | BSS670 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| id - непрерывный ток утечки | 540 mA |
| qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 600 mS |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 21 ns |
| типичное время задержки при включении | 9 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 540mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 55V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 2.26nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 75pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 360mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 650mOhm @ 270mA, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 2.7ВµA |
| Высота | 1.1 мм |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SB1202-TO252, Транзистор PNP 50В 3А [TO-252]](/wa-data/public/shop/products/28/54/185428/images/221604/221604.300x0.jpg "2SB1202-TO252, Транзистор PNP 50В 3А [TO-252]")
![IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3]](/wa-data/public/shop/products/20/28/192820/images/227494/227494.300x0.jpg "IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3]")
