IRF830SPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 500V 4.5 Amp
Основные
вес, г1.438
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
720
+
Бонус: 14.4 !
Бонусная программа
Итого: 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 500V 4.5 Amp
Основные
вес, г1.438
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRF
supplier device packageD2PAK
длина10.67 mm
base product numberIRF830 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c4.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs38nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds610pF @ 25V
power dissipation (max)3.1W (Ta), 74W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль