UF3C065040K4S

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 650V 54A (Tc) 326W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
2 890
+
Бонус: 57.8 !
Бонусная программа
Итого: 2 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 650V 54A (Tc) 326W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-4
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаUnitedSiC
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияUF3C
supplier device packageTO-247-4
pd - рассеивание мощности326 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSiC
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки54 A
qg - заряд затвора43 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток52 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c54A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)12V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs43nC @ 12V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1500pF @ 100V
power dissipation (max)326W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs52mOhm @ 40A, 12V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id6V @ 10mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль