TPN2010FNH,L1Q

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
470
+
Бонус: 9.4 !
Бонусная программа
Итого: 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки5000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTSON-Advance-8
серияTPN2010FNH
длина3.1 mm
время нарастания5.2 ns
время спада4.5 ns
pd - рассеивание мощности39 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияTriple Common Source
id - непрерывный ток утечки9.9 A
qg - заряд затвора7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения19 ns
типичное время задержки при включении14 ns
Высота 0.85 мм
Ширина3.1 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль