Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Основные
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Through Hole
operating temperature
150В°C (TJ)
package
Bulk
package / case
TO-220-3 Full Pack
rohs status
RoHS Compliant
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
50
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Toshiba
упаковка / блок
TO-220FP-3
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
серия
TK8A65D
supplier device package
TO-220SIS
длина
10 mm
коммерческое обозначение
DTMOSIV
series
ПЂ-MOSVII ->
количество каналов
1 Channel
base product number
TLP781 ->
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
technology
MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки
8 A
rds вкл - сопротивление сток-исток
840 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c
8A (Ta)
drain to source voltage (vdss)
650V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
25nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds
1350pF @ 25V
power dissipation (max)
45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs
840mOhm @ 4A, 10V
vgs (max)
В±30V
vgs(th) (max) @ id
4V @ 1mA
Высота
15 мм
Ширина
4.5 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26