BCR503E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
Вес и габариты
base product numberBCR503 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
8
+
Бонус: 0.16 !
Бонусная программа
Итого: 8
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
Вес и габариты
base product numberBCR503 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 50mA, 5V
другие названия товара №503 BCR BCR53E6327XT E6327 SP000010839
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
подкатегорияTransistors
power - max330mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)2.2 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCR503
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаInfineon Technologies
transistor typeNPN - Pre-Biased
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль