Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Bulk

720 ₽

– +

Бонус: 14.4 !

Бонусная программа

Итого: 720 ₽

Купить

Основные
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-220-3 Full Pack
rohs status	RoHS Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TO-220FP-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	TK8A65D
supplier device package	TO-220SIS
длина	10 mm
коммерческое обозначение	DTMOSIV
series	ПЂ-MOSVII ->
количество каналов	1 Channel
base product number	TLP781 ->
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	8 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	840 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	8A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	650V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	25nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1350pF @ 25V
power dissipation (max)	45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	840mOhm @ 4A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 1mA
Высота	15 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки